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        您当前的职务: 首页      商家介绍      研制专利
        经我司研发团队全体成员共同奋斗,截至目前受理和获得授权各类专利共计222项。
        自主经营权清单列表如下:

        序号
        报名号
        自主经营权名称
        表明类型
        1
        PCT/CN2012/085993
        超结的制造方法
        PCT
        2
        PCT/CN2012/085995
        RB-IGBT 的制造方法
        3
        PCT/CN2012/083826
        一种功率半导体器件及其形成方法
        4
        用于半导体功率器件的渠道式终端及其制备方法
        5
        PCT/CN2012/088053
        一种高压超结 IGBT 的制造方法
        6
        一种 TI-IGBT 及其形成方法
        7
        RC-IGBT 及他制作方法
        8
        IGBT 及其元胞结构、以及 IGBT 的演进方法
        9
        ITC-IGBT 及他制作方法
        10
        PCT/CN2012/088110
        一种 IGBT 布局及其制备方法
        11
        一种 TI-IGBT 器件及其制造方法
        12
        一种双模式绝缘栅晶体管
        13
        超结的制造方法
        表明
        14
        逆阻型绝缘栅双极晶体管的制造方法
        15
        一种功率半导体器件及其形成方法
        16
        一种 IGBT 器件及其形成方法
        17
        一种 IGBT 器件及他制作方法
        18
        用于半导体功率器件的渠道式终端及其制备方法
        19
        采取质子辐照制备终端结构的点子
        20
        FRD 的筹措方法
        21
        一种 IGBT 布局及他制作方法
        22
        用于半导体功率器件的终极
        23
        一种逆导型 IGBT 器件及其形成方法
        24
        一种逆导型 IGBT 器件
        25
        IGBT 器件及他制作方法
        26
        一种 IGBT 及他制作方法
        27
        一种绝缘栅双极型晶体管
        28
        一种绝缘栅双极型晶体管及他制作方法
        29
        一种绝缘互联散热板及功率模块
        30
        一种半导体器件及他制作方法
        31
        一种功率器件的筹措方法
        32
        一种带缓冲层的低压 IGBT 及他制作方法
        33
        一种隧穿型逆导 IGBT 及其制造方法
        34
        PIN 超结结构
        35
        一种沟槽型 IGBT 及其制造方法
        36
        一种沟槽型 IGBT 布局的制造方法
        37
        一种终端与有源区形成弱电连接的构造及他设计方法
        38
        一种提高微穿通型 IGBT
        39
        一种功率器件— TI-IGBT 的构造及其制备方法
        40
        功率器件 -MPT-TI-IGBT 的构造及其制备方法
        41
        EMPT-TI-IGBT 器件的构造及其制备方法
        42
        一种电场阻断型 IGBT 布局的筹措方法
        43
        一种 IGBT 短路集电极结构的筹措方法
        44
        一种 IGBT 的缓冲层结构及他制作方法
        45
        用于绝缘栅双极晶体管的拱坝闩锁终端区
        46
        逆导型 IGBT 的集电极结构及其制备方法
        47
        逆导型 IGBT 的反面结构及其制备方法
        48
        逆导型 IGBT 的筹措方法
        49
        一种中高压沟槽型功率器件的终极结构及他制作方法
        50
        一种平面型 IGBT 布局的筹措方法
        51
        一种 TI-IGBT 及其形成方法
        52
        RC-IGBT 及他制作方法
        53
        IGBT 及其元胞结构、以及 IGBT 的演进方法
        54
        ITC-IGBT 及他制作方法
        55
        一种绝缘栅双极型晶体管及他制作方法
        56
        IGBT 及他制作方法
        57
        一种穿通型 IGBT 及他制作方法
        58
        一种绝缘栅场效应晶体管及他制作方法
        59
        一种带 FS 层的PT 型功率器件的制造方法
        60
        一种 IGBT 布局及其制备方法
        61
        一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法
        62
        采取金属硅化物的直径半导体器件结构及制备方法
        63
        钝化半导体接触表面的直径半导体器件的集电极结构及制备方法
        64
        逆导 IGBT 器件结构及制造方法
        65
        功率半导体器件的反面集电极结构
        66
        FS 型 IGBT 器件的反面结构
        67
        逆导 IGBT 器件及制造方法
        68
        功率半导体器件的集电极结构
        69
        绝缘栅双极晶体管的集电极背面结构
        70
        IGBT 背面结构及制备方法
        71
        IGBT 集电极结构
        72
        一种 IGBT 集电极结构及其制备方法
        73
        一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制造方法
        74
        IGBT 的制造方法
        75
        半导体器件、 PIN 二极管和IGBT 的制造方法
        76
        半导体器件的制造方法及 TI-IGBT 的制造方法
        77
        半导体器件的制造方法、 TI-IGBT 的制造方法
        78
        一种 IGBT 过温保护电路以及保护措施
        79
        半导体器件封装结构的监测方法
        80
        TI-IGBT 的制造方法
        81
        半导体器件的制造方法及 TI-IGBT 的制造方法
        82
        半导体器件的集电极结构及 TI-IGBT
        83
        半导体器件的集电极结构及 TI-IGBT
        84
        功率半导体器件的气温测试方法
        85
        逆变电路及不间歇电源电路
        86
        焊接层质量对半导体器件性能影响之研讨方法、焊接方法
        87
        一种 RB-IGBT 的筹措方法
        88
        一种 TI-IGBT 器件
        89
        一种 Trench-RB-IGBT 的筹措方法
        90
        一种低压 RB-IGBT 的筹措方法
        91
        一种 TI-IGBT 芯片背面结构的加工方法
        92
        一种双模式绝缘栅晶体管
        93
        一种沟槽隔离 IGBT 器件
        94
        一种测量 IGBT 稳态热阻值的点子
        95
        一种检测 IGBT 功率器件可靠性的体系和措施
        96
        一种集成可变栅电阻栅极结构
        97
        一种电磁炉 IGBT 的耐压测试装置和措施
        98
        压接式 IGBT 器件
        99
        一种绝缘栅双极型晶体管及他制作方法
        100
        一种逆阻型 IGBT 及他制作方法
        101
        一种逆导型绝缘栅双极晶体管及他制作方法
        102
        一种 IGBT 及他制作方法
        103
        一种 IGBT 及他制作方法
        104
        IGBT 器件及他制作方法
        105
        一种逆导型绝缘栅双极晶体管及他制作方法
        106
        一种逆导型绝缘栅双极晶体管及他制作方法
        107
        一种逆导型绝缘栅双极晶体管及他制作方法
        108
        逆阻型 IGBT 芯片及他制作方法
        109
        RB-IGBT 芯片的制造方法及 RB-IGBT 芯片
        110
        RB-IGBT 芯片的制造方法及 RB-IGBT 芯片
        111
        一种快恢复二极管及他制作方法
        112
        一种快恢复二极管及他制作方法
        113
        IGBT 器件及他制作方法
        114
        绝缘栅双极型晶体管及他制作方法
        115
        降低阳极空穴注入的二极管结构
        116
        改进恢复耐量的二极管结构
        117
        降低动态损耗的渠道式二极管结构
        118
        一种超高深宽比的超结制造方法
        119
        双沟道超结 IGBT
        120
        一种 IGBT 驱动电路
        121
        变频器过流保护电路
        122
        具备载流子存储的平面栅 IGBT 器件
        123
        具有载流子存储层的渠道栅 IGBT 筹备方法
        124
        能降低米勒电容的超结 IGBT 器件
        125
        IGBT 快速驱动电路
        126
        IGBT 动态测试闩锁保护电路
        127
        大核电 IGBT 芯片的统考夹具
        128
        混合 PIN 肖特基二极管的筹措方法
        129
        具有内置二极管的 IGBT 器件的反面工艺
        130
        能实现背面精细化光刻的 IGBT 背面制作方法
        131
        具有集成栅源电容的 IGBT 器件
        132
        加强动态雪崩抗性的直径二极管
        133
        一种抗闩锁 IGBT 器件
        134
        具有高抗闩锁能力的 IGBT 器件
        135
        用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座
        136
        IGBT 尊重结构与制备方法
        137
        两极电阻、电容连续可调的 IGBT 高考电路
        138
        高压大核电 IGBT 的常态测试平台及测试方法
        139
        沟槽 IGBT 器件及其制造方法
        140
        用于快速评估快恢复二极管性能的基座
        141
        可自主设置调节的 IGBT 驱动电源拓扑
        142
        IGBT 及 FRD 芯片动态测试夹具
        143
        正弦逆变器 IGBT 结温波动计算方法
        144
        改进型磁隔离 IGBT 驱动电路
        145
        IGBT 动态有源钳位保护电路
        146
        具有软恢复特性的快恢复二极管结构
        147
        一种 FS 型IGBT 器件的制作方法
        148
        用于兼顾 IGBT 短路能力与开关速度的土地结构
        149
        具有高抗短路能力的 IGBT 器件
        150
        IPM 马达驱动应用中的自举电路
        151
        基于改进型滑膜观测器的 BLDCM 控制系统及控制方法
        152
        沟槽型半导体功率器件及其制备方法
        153
        具有软关断特性的 FS 型IGBT 器件
        154
        具有高抗短路能力的渠道栅 IGBT 器件及其制备方法
        155
        能开展终端横向耐压测试的 IGBT 土地
        156
        201711017467.7
        压接式 IGBT 器件正面金属电极结构的筹措方法
        157
        201711017439.5
        用于压接式 IGBT 器件正面电极加工的暖气片
        158
        201711012160.8
        RC-IGBT 器件的反面加工方法
        159
        201711017441.2
        RC-IGBT 器件的反面结构制备方法
        160
        201711012226.3
        用于 RC-IGBT 晶圆背面加工的暖气片
        161
        一种 IGBT 可靠性测试的左右方法、安装及系统
        162
        IGBT 模块功率表循环老化试验装置及艺术