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      艺术实力:

       

      此时此刻已开发形成15-100A/1200V、20-100A/1700V非穿通型平面栅和沟槽栅IGBT铺天盖地产品以及配套FRD产品,15A/600V场截止型沟槽栅IGBT产品,已完成2500V,3300V,4500V和6500V铺天盖地IGBT芯片样品的支出,其中6500V IGBT芯片样品的撞击电压达到7100V上述。正在进一步优化相关参数,开展产品规格,目标是形成600V-6500V全系列IGBT产品。




      IGBT器件结构:

       

      (a) 沟槽栅穿通型Trench+PT             (b) 平面栅非穿通型Planar+NPT
      (c) 沟槽栅非穿通型Trench+NPT        (d) 平面栅场截止型Planar+FS
      (e) 沟槽栅场截止型Trench+FS          (f) 载流子存储层沟槽栅场截止型Trench+CS+FS

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